C2M0045170D,Cree/Wolfspeed,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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C2M0045170D
C2M0045170D -
MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Cree/Wolfspeed
Cree/Wolfspeed
制造商产品编号:
C2M0045170D
仓库库存编号:
C2M0045170D-ND
描述:
MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
通孔 N 沟道 72A(Tc) 520W(Tc) TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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C2M0045170D产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Cree/Wolfspeed
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
C2M?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247-3
技术
SiCFET(碳化硅)
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
188nC @ 20V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
70 毫欧 @ 50A,20V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
72A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3672pF @ 1kV
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 18mA
功率耗散(最大值)
520W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1700V
关键词
产品资料
数据列表
C2M0045170D
标准包装
30
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别名:1242-1135
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制造商 Cree/Wolfspeed
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安装类型 通孔
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Cree/Wolfspeed 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 18mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 18mA
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功率耗散(最大值) 520W(Tc)
Cree/Wolfspeed 功率耗散(最大值) 520W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 1700V
Cree/Wolfspeed 漏源电压(Vdss) 1700V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1700V
Cree/Wolfspeed 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1700V
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