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C2M0080120D - 

MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247

Cree/Wolfspeed C2M0080120D
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
C2M0080120D
仓库库存编号：
C2M0080120D-ND
描述：
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 36A（Tc） 192W（Tc） TO-247-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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C2M0080120D产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  Cree/Wolfspeed  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  C2M?  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247-3  
  技术  SiCFET（碳化硅）  
  Vgs（最大值）  +25V，-10V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  62nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  98 毫欧 @ 20A，20V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  20V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  36A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  950pF @ 1000V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 5mA  
  功率耗散（最大值）  192W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  1200V  
关键词         

产品资料
数据列表 C2M0080120D
应用说明 SiC MOSFET Isolated Gate Driver
标准包装 30

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