C2M1000170J,Cree/Wolfspeed,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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C2M1000170J
C2M1000170J -
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Cree/Wolfspeed
Cree/Wolfspeed
制造商产品编号:
C2M1000170J
仓库库存编号:
C2M1000170J-ND
描述:
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 78W(Tc) D2PAK(7-Lead)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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C2M1000170J产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-7(直引线)
制造商
Cree/Wolfspeed
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
C2M?
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
D2PAK(7-Lead)
技术
SiCFET(碳化硅)
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
13nC @ 20V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.4 欧姆 @ 2A,20V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.3A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
200pF @ 1000V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.1V @ 500μA(标准)
功率耗散(最大值)
78W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1700V
关键词
产品资料
数据列表
C2M1000170J
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50
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Cree/Wolfspeed 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1700V
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