C3M0065090D,Cree/Wolfspeed,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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C3M0065090D
C3M0065090D -
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Cree/Wolfspeed
Cree/Wolfspeed
制造商产品编号:
C3M0065090D
仓库库存编号:
C3M0065090D-ND
描述:
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 36A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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C3M0065090D产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Cree/Wolfspeed
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
C3M?
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247-3
技术
SiCFET(碳化硅)
Vgs(最大值)
+18V,-8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
30.4nC @ 15V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
78 毫欧 @ 20A,15V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
36A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
660pF @ 600V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 5mA
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
漏源电压(Vdss)
900V
关键词
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数据列表
C3M0065090D
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 192W(Tc) TO-247-3
型号:
C2M0080120D
仓库库存编号:
C2M0080120D-ND
无铅
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Cree/Wolfspeed
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详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
C2M0160120D
仓库库存编号:
C2M0160120D-ND
无铅
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Cree/Wolfspeed
900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 97W(Tc) TO-247-3
型号:
C3M0120090D
仓库库存编号:
C3M0120090D-ND
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Rohm Semiconductor
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详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 262W(Tc) TO-247N
型号:
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仓库库存编号:
SCT3030ALGC11-ND
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详细描述:通孔 N 沟道 39A(Tc) 165W(Tc) TO-247N
型号:
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仓库库存编号:
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制造商 Cree/Wolfspeed
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安装类型 通孔
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 600V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 600V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 5mA
Cree/Wolfspeed 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 5mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 5mA
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功率耗散(最大值) 125W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 125W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 900V
Cree/Wolfspeed 漏源电压(Vdss) 900V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 900V
Cree/Wolfspeed 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 900V
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