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C3M0065100K - 

1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET

Cree/Wolfspeed C3M0065100K
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
C3M0065100K
仓库库存编号：
C3M0065100K-ND
描述：
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
N 沟道 35A（Tc） 113.5W（Tc） TO-247-4L
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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C3M0065100K产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-4  
  制造商  Cree/Wolfspeed  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  C3M?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247-4L  
  技术  SiCFET（碳化硅）  
  Vgs（最大值）  +19V，-8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  35nC @ 15V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  78 毫欧 @ 20A，15V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  15V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  35A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  660pF @ 600V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.5V @ 5mA  
  功率耗散（最大值）  113.5W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  1000V  
关键词         

产品资料
数据列表 C3M0065100K
标准包装 30

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