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C3M0075120J - 

1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET

  • 新产品 
Cree/Wolfspeed C3M0075120J
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
C3M0075120J
仓库库存编号：
C3M0075120J-ND
描述：
1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 113.6W（Tc） D2PAK-7
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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C3M0075120J产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA  
  制造商  Cree/Wolfspeed  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  C3M?  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D2PAK-7  
  技术  SiC（碳化硅结晶体管）  
  Vgs（最大值）  +19V，-8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  51nC @ 15V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  90 毫欧 @ 20A，15V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  15V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  30A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1350pF @ 1000V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 5mA  
  功率耗散（最大值）  113.6W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  1200V  
关键词         

产品资料
标准包装 50

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