CAS325M12HM2,Cree/Wolfspeed,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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CAS325M12HM2
CAS325M12HM2 -
MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Cree/Wolfspeed
Cree/Wolfspeed
制造商产品编号:
CAS325M12HM2
仓库库存编号:
CAS325M12HM2-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 444A (Tc) 3000W Module
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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CAS325M12HM2产品属性
产品规格
封装/外壳
模块
制造商
Cree/Wolfspeed
工作温度
175°C(TJ)
系列
Z-REC?
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
模块
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1127nC @ 20V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.3 毫欧 @ 400A, 20V
FET 类型
2 个 N 通道(半桥)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
444A(Tc)
FET 功能
碳化硅 (SiC)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 105mA
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
功率 - 最大值
3000W
关键词
产品资料
数据列表
CAS325M12HM2
标准包装
1
CAS325M12HM2配套
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Cree/Wolfspeed
GATE DRVR 150C FOR 1.2KV 325A HI
详细描述:CAS325M12HM2 - Power Management, Gate Driver Evaluation Board
型号:
CGD15HB62LP
仓库库存编号:
CGD15HB62LP-ND
无铅
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Cree/Wolfspeed
GATE DRVR 150C FOR 1.2KV 325A HI
详细描述:CAS325M12HM2 - Power Management, Gate Driver Evaluation Board
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GATE DRVR 150C FOR 1.2KV 325A HI
详细描述:CAS325M12HM2 - Power Management, Gate Driver Evaluation Board
型号:
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