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CPMF-1200-S080B - 

MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE

  • 已过时的产品。
Cree/Wolfspeed CPMF-1200-S080B
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CPMF-1200-S080B
仓库库存编号：
CPMF-1200-S080B-ND
描述：
MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 1200V 50A（Tj） 313mW（Tj） 模具
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CPMF-1200-S080B产品属性


产品规格
  封装/外壳  模具  
  制造商  Cree/Wolfspeed  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  Z-FET??  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  模具  
  技术  SiCFET（碳化硅）  
  Vgs（最大值）  +25V，-5V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  90.8nC @ 20V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  110 毫欧 @ 20A，20V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  20V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  50A（Tj）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1915pF @ 800V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  313mW（Tj）  
  漏源电压（Vdss）  1200V  
关键词         

产品资料
标准包装 1

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