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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-252，（D-Pak）
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 500mA，3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	15W
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	110MHz
关键词

产品资料

数据列表	2DB1184Q
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	2DB1184Q-13DICT

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）   晶体管类型 PNP  Diodes Incorporated 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，3V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，3V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，3V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 15W  Diodes Incorporated Power - Max 15W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 15W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 15W   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 110MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 110MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 110MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 110MHz