关于我们 | 联系我们

库存查询

• Chip Outpost - 购买前请查明条款和条件中关于 Chip Outpost 产品的条款规定。

产品规格

封装/外壳	SOT-523
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-523
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	270 @ 1mA，6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	150mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	400mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	180MHz
关键词

产品资料

数据列表	2DC4617Q, R, S
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	3,000
其它名称	2DC4617S7

封装/外壳 SOT-523  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-523  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SOT-523  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SOT-523   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-523  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-523  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-523  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-523   晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 1mA，6V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 1mA，6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 1mA，6V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 1mA，6V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 150mW  Diodes Incorporated Power - Max 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 150mA  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 150mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 180MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 180MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 180MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 180MHz