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74LVC2G02RA3-7
74LVC2G02RA3-7 -
IC GATE NOR 2CH 2-INP 8-DFN1210
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
74LVC2G02RA3-7
仓库库存编号:
74LVC2G02RA3-7DICT-ND
描述:
IC GATE NOR 2CH 2-INP 8-DFN1210
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
NOR Gate IC Channel X2-DFN1210-8
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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74LVC2G02RA3-7产品属性
产品规格
封装/外壳
8-XFDFN
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 125°C
系列
74LVC
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
电压 - 电源
1.65 V ~ 5.5 V
供应商器件封装
X2-DFN1210-8
电路数
2
特性
-
电流 - 静态(最大值)
40μA
逻辑类型
或非门
电流 - 输出高,低
32mA,32mA
输入数
2
逻辑电平 - 低
-
不同 V,最大 CL 时的最大传播延迟
5.5ns @ 5V,50pF
逻辑电平 - 高
-
关键词
产品资料
数据列表
74LVC2G02
标准包装
1
其它名称
74LVC2G02RA3-7DICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
IC GATE NAND 2CH 2-INP 8-DFN1210
详细描述:NAND Gate IC Channel X2-DFN1210-8
型号:
74LVC2G00RA3-7
仓库库存编号:
74LVC2G00RA3-7DICT-ND
别名:74LVC2G00RA3-7DICT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
IC GATE NOR 2CH 2-INP 8-DFN2010
详细描述:NOR Gate IC 2 Channel X2-DFN2010-8
型号:
74LVC2G02HD4-7
仓库库存编号:
74LVC2G02HD4-7DICT-ND
别名:74LVC2G02HD4-7DICT
无铅
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逻辑 - 栅极和逆变器 封装/外壳 8-XFDFN
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 封装/外壳 8-XFDFN
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
逻辑 - 栅极和逆变器 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
逻辑 - 栅极和逆变器 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 125°C
Diodes Incorporated 工作温度 -40°C ~ 125°C
逻辑 - 栅极和逆变器 工作温度 -40°C ~ 125°C
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 工作温度 -40°C ~ 125°C
系列 74LVC
Diodes Incorporated 系列 74LVC
逻辑 - 栅极和逆变器 系列 74LVC
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 系列 74LVC
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
逻辑 - 栅极和逆变器 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
逻辑 - 栅极和逆变器 零件状态 在售
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 零件状态 在售
电压 - 电源 1.65 V ~ 5.5 V
Diodes Incorporated 电压 - 电源 1.65 V ~ 5.5 V
逻辑 - 栅极和逆变器 电压 - 电源 1.65 V ~ 5.5 V
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 电压 - 电源 1.65 V ~ 5.5 V
供应商器件封装 X2-DFN1210-8
Diodes Incorporated 供应商器件封装 X2-DFN1210-8
逻辑 - 栅极和逆变器 供应商器件封装 X2-DFN1210-8
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 供应商器件封装 X2-DFN1210-8
电路数 2
Diodes Incorporated 电路数 2
逻辑 - 栅极和逆变器 电路数 2
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 电路数 2
特性 -
Diodes Incorporated 特性 -
逻辑 - 栅极和逆变器 特性 -
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 特性 -
电流 - 静态(最大值) 40μA
Diodes Incorporated 电流 - 静态(最大值) 40μA
逻辑 - 栅极和逆变器 电流 - 静态(最大值) 40μA
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逻辑类型 或非门
Diodes Incorporated 逻辑类型 或非门
逻辑 - 栅极和逆变器 逻辑类型 或非门
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电流 - 输出高,低 32mA,32mA
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逻辑 - 栅极和逆变器 电流 - 输出高,低 32mA,32mA
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输入数 2
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逻辑 - 栅极和逆变器 输入数 2
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逻辑电平 - 低 -
Diodes Incorporated 逻辑电平 - 低 -
逻辑 - 栅极和逆变器 逻辑电平 - 低 -
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不同 V,最大 CL 时的最大传播延迟 5.5ns @ 5V,50pF
Diodes Incorporated 不同 V,最大 CL 时的最大传播延迟 5.5ns @ 5V,50pF
逻辑 - 栅极和逆变器 不同 V,最大 CL 时的最大传播延迟 5.5ns @ 5V,50pF
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 不同 V,最大 CL 时的最大传播延迟 5.5ns @ 5V,50pF
逻辑电平 - 高 -
Diodes Incorporated 逻辑电平 - 高 -
逻辑 - 栅极和逆变器 逻辑电平 - 高 -
Diodes Incorporated 逻辑 - 栅极和逆变器 逻辑电平 - 高 -
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