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产品规格

封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-251
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	8 @ 2A，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450V
Power - Max	25W
电流 - 集电极截止（最大值）	-
Current - Collector (Ic) (Max)	3.2A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 750mA，3A
频率 - 跃迁	4MHz
关键词

产品资料

数据列表	APT13005S
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	3,600
其它名称	APT13005SI-G1DI

封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 通孔  Diodes Incorporated 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   Diodes Incorporated 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-251  Diodes Incorporated 供应商器件封装 TO-251  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-251  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-251   晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 8 @ 2A，5V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 8 @ 2A，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 8 @ 2A，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 8 @ 2A，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V   Power - Max 25W  Diodes Incorporated Power - Max 25W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 25W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 25W   电流 - 集电极截止（最大值） -  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） -   Current - Collector (Ic) (Max) 3.2A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 3.2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3.2A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3.2A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 750mA，3A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 750mA，3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 750mA，3A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 750mA，3A   频率 - 跃迁 4MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 4MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 4MHz