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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-92
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	6 @ 300mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450V
Power - Max	800mW
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 40mA，200mA
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	APT27Z
标准包装	1
其它名称	APT27ZTR-G1DICT

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 通孔  Diodes Incorporated 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-92  Diodes Incorporated 供应商器件封装 TO-92  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92   晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 6 @ 300mA，10V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 6 @ 300mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 6 @ 300mA，10V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 6 @ 300mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V   Power - Max 800mW  Diodes Incorporated Power - Max 800mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 800mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 800mW   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA   Current - Collector (Ic) (Max) 800mA  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 800mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 800mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 800mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 40mA，200mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 40mA，200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 40mA，200mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 40mA，200mA   频率 - 跃迁 -  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -