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BC858B-7-F - 

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

  • 非库存货
Diodes Incorporated BC858B-7-F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BC858B-7-F
仓库库存编号:
BC858B-7-F-ND
描述:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BC858B-7-F产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -65°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-23-3  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  220 @ 2mA,5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  30V  
  Power - Max  300mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  15nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  650mV @ 5mA,100mA  
  频率 - 跃迁  200MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 BC856A - BC858C
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
标准包装 3,000

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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷(TR)   Diodes Incorporated 包装 带卷(TR)   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷(TR)   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷(TR)    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3   晶体管类型 PNP  Diodes Incorporated 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V  Diodes Incorporated 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V   Power - Max 300mW  Diodes Incorporated Power - Max 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW   电流 - 集电极截止(最大值) 15nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止(最大值) 15nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 15nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 15nA   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 650mV @ 5mA,100mA  Diodes Incorporated 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 650mV @ 5mA,100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 650mV @ 5mA,100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 650mV @ 5mA,100mA   频率 - 跃迁 200MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz  
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