BS107P,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BS107P
BS107P -
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
BS107P
仓库库存编号:
BS107P-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 120mA(Ta) 500mW(Ta) TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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BS107P产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-92-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
30 欧姆 @ 100mA,5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.6V,5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
200V
关键词
产品资料
数据列表
BS107P
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
4,000
其它名称
BS107
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:2N7000FS
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详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
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仓库库存编号:
VN2106N3-G-ND
无铅
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 200V
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