BS170P,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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BS170P
BS170P -
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
BS170P
仓库库存编号:
BS170P-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 270mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BS170P产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-92-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
5 欧姆 @ 200mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
270mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
60pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
功率耗散(最大值)
625mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
4,000
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 230mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS250P
仓库库存编号:
BS250P-ND
别名:BS250PTA
MX
无铅
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 通孔
Diodes Incorporated 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
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包装 散装
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 散装
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零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-92-3
Diodes Incorporated 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-92-3
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 欧姆 @ 200mA,10V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 60V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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