BSS123W-7-F,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
BSS123W-7-F
BSS123W-7-F -
MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
BSS123W-7-F
仓库库存编号:
BSS123W-FDICT-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
BSS123W-7-F产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-323
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
6 欧姆 @ 170mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
170mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
60pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
BSS123W Datasheet
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
PCN 其它
Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装
1
其它名称
BSS123W-FDICT
BSS123W-7-F您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123
详细描述:标准 表面贴装 二极管 150mA SOD-123
型号:
BAV16W-7-F
仓库库存编号:
BAV16W-FDICT-ND
别名:BAV16W-FDICT
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
LED ORANGE CLEAR 0402 SMD
详细描述:橙色 605nm LED 指示 - 分立 1.9V 2-SMD,无引线
型号:
SML-P11DTT86
仓库库存编号:
511-1651-1-ND
别名:511-1651-1
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
LED YELLOW-GRN CLEAR 0402 SMD
详细描述:黄绿 569nm LED 指示 - 分立 1.9V 2-SMD,无引线
型号:
SML-P11MTT86
仓库库存编号:
511-1652-1-ND
别名:511-1652-1
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
LED RED CLEAR 0402 SMD
详细描述:红色 621nm LED 指示 - 分立 1.8V 2-SMD,无引线
型号:
SML-P11UTT86
仓库库存编号:
511-1653-1-ND
别名:511-1653-1
无铅
搜索
Texas Instruments
IC REG BUCK ADJ 0.15A 8VSSOP
详细描述:可调式 降压 开关稳压器 IC 正 2.5V 1 输出 150mA 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
型号:
LM5009AMM/NOPB
仓库库存编号:
LM5009AMM/NOPBCT-ND
别名:*LM5009AMM/NOPB
LM5009AMM/NOPBCT
LM5009AMMCT
LM5009AMMCT-ND
无铅
搜索
BSS123W-7-F相关搜索
封装/外壳 SC-70,SOT-323
Diodes Incorporated 封装/外壳 SC-70,SOT-323
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-323
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-323
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-323
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-323
技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 欧姆 @ 170mA,10V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 欧姆 @ 170mA,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 欧姆 @ 170mA,10V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 6 欧姆 @ 170mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Diodes Incorporated 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
FET 类型 N 沟道
Diodes Incorporated FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 170mA(Ta)
Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 170mA(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 170mA(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 170mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 25V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 25V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 60pF @ 25V
FET 功能 -
Diodes Incorporated FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 100V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号