BZX84C3V3S-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 阵列
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BZX84C3V3S-7
BZX84C3V3S-7 -
DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT363
不提供增值包装;备有另选包装。
Digi-Key已停止供应这个产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
BZX84C3V3S-7
仓库库存编号:
BZX84C3V3SDICT-ND
描述:
DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT363
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Zener Diode Array 2 Independent 3.3V 200mW ±6% SOT-363
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BZX84C3V3S-7产品属性
产品规格
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
SOT-363
容差
±6%
配置
2 个独立式
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
5μA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
900mV @ 10mA
Power - Max
200mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
3.3V
阻抗(最大值)(Zzt)
95 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
BZX84C2V4S - BZX84C39S
标准包装
1
其它名称
BZX84C3V3S
BZX84C3V3S7
BZX84C3V3SCT
BZX84C3V3SCT-ND
BZX84C3V3SDICT
BZX84C3V3S-7ROHS替代
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT363
详细描述:Zener Diode Array 2 Independent 200mW ±6% SOT-363
型号:
BZX84C3V3S-7-F
仓库库存编号:
BZX84C3V3S-FDICT-ND
别名:BZX84C3V3S-FDICT
无铅
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 阵列 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 150°C
Diodes Incorporated 工作温度 -65°C ~ 150°C
二极管 - 齐纳 - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C
系列 -
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包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
二极管 - 齐纳 - 阵列 包装 剪切带(CT)
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零件状态 已不再提供
Diodes Incorporated 零件状态 已不再提供
二极管 - 齐纳 - 阵列 零件状态 已不再提供
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 零件状态 已不再提供
供应商器件封装 SOT-363
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-363
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容差 ±6%
Diodes Incorporated 容差 ±6%
二极管 - 齐纳 - 阵列 容差 ±6%
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配置 2 个独立式
Diodes Incorporated 配置 2 个独立式
二极管 - 齐纳 - 阵列 配置 2 个独立式
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 配置 2 个独立式
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 1V
Diodes Incorporated 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 1V
二极管 - 齐纳 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 1V
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
Diodes Incorporated 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
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Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
Power - Max 200mW
Diodes Incorporated Power - Max 200mW
二极管 - 齐纳 - 阵列 Power - Max 200mW
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电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.3V
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二极管 - 齐纳 - 阵列 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.3V
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阻抗(最大值)(Zzt) 95 Ohms
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二极管 - 齐纳 - 阵列 阻抗(最大值)(Zzt) 95 Ohms
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