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BZX84C6V8S-7-F
BZX84C6V8S-7-F -
DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT363
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
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制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
BZX84C6V8S-7-F
仓库库存编号:
BZX84C6V8S-FDICT-ND
描述:
DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT363
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Zener Diode Array 2 Independent 200mW ±6% SOT-363
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BZX84C6V8S-7-F产品属性
产品规格
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
SOT-363
容差
±6%
配置
2 个独立式
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
2μA @ 4V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
900mV @ 10mA
Power - Max
200mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
6.8V
阻抗(最大值)(Zzt)
15 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
BZX84C2V4S - BZX84C39S
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
BZX84C6V8S-FDICT
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
二极管 - 齐纳 - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 阵列 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 150°C
Diodes Incorporated 工作温度 -65°C ~ 150°C
二极管 - 齐纳 - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
二极管 - 齐纳 - 阵列 系列 -
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包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
二极管 - 齐纳 - 阵列 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 包装 剪切带(CT)
零件状态 已不再提供
Diodes Incorporated 零件状态 已不再提供
二极管 - 齐纳 - 阵列 零件状态 已不再提供
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 零件状态 已不再提供
供应商器件封装 SOT-363
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-363
二极管 - 齐纳 - 阵列 供应商器件封装 SOT-363
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 供应商器件封装 SOT-363
容差 ±6%
Diodes Incorporated 容差 ±6%
二极管 - 齐纳 - 阵列 容差 ±6%
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 容差 ±6%
配置 2 个独立式
Diodes Incorporated 配置 2 个独立式
二极管 - 齐纳 - 阵列 配置 2 个独立式
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 配置 2 个独立式
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 4V
Diodes Incorporated 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 4V
二极管 - 齐纳 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 4V
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 4V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
Diodes Incorporated 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
二极管 - 齐纳 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
Power - Max 200mW
Diodes Incorporated Power - Max 200mW
二极管 - 齐纳 - 阵列 Power - Max 200mW
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 Power - Max 200mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.8V
Diodes Incorporated 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.8V
二极管 - 齐纳 - 阵列 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.8V
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阻抗(最大值)(Zzt) 15 Ohms
Diodes Incorporated 阻抗(最大值)(Zzt) 15 Ohms
二极管 - 齐纳 - 阵列 阻抗(最大值)(Zzt) 15 Ohms
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