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产品规格

封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-363
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	68 @ 5mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 500μA，10mA
频率 - 跃迁	250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	47k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47k
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	DCX1zzzU
标准包装	3,000
其它名称	DCX144EU7

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Diodes Incorporated 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-363  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-363  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-363   晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  Diodes Incorporated 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Diodes Incorporated 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Diodes Incorporated 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k   功率 - 最大值 200mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 200mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V