DDA142JH-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

DDA142JH-7 - 

TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563

  • 非库存货
Diodes Incorporated DDA142JH-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
DDA142JH-7
仓库库存编号:
DDA142JH-7-ND
描述:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 150mW Surface Mount SOT-563
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

DDA142JH-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563,SOT-666  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-563  
  晶体管类型  2 个 PNP 预偏压式(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  56 @ 10mA,5V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  500nA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 250μA,5mA  
  频率 - 跃迁  200MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  470  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  10k  
  功率 - 最大值  150mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 DDA (LO-R1) H
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
标准包装 3,000

DDA142JH-7相关搜索

封装/外壳 SOT-563,SOT-666  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-563,SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563,SOT-666  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563,SOT-666   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 带卷(TR)   Diodes Incorporated 包装 带卷(TR)   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷(TR)   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷(TR)    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-563  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-563  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-563  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-563   晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)  Diodes Incorporated 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式(双)   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 10mA,5V  Diodes Incorporated 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 10mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 10mA,5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 10mA,5V   电流 - 集电极截止(最大值) 500nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止(最大值) 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 500nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 500nA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 250μA,5mA  Diodes Incorporated 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 250μA,5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 250μA,5mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 250μA,5mA   频率 - 跃迁 200MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 200MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 200MHz   电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 470  Diodes Incorporated 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 470  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 470  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 470   电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k  Diodes Incorporated 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 10k   功率 - 最大值 150mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 150mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 150mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号