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产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-563
晶体管类型	2 个 PNP 预偏压式（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 1mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 250μA，2.5mA
频率 - 跃迁	250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	-
功率 - 最大值	150mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	DDA (zzzz) H
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	DDA143TH-7DICT

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-563  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-563  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-563  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-563   晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）  Diodes Incorporated 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） -  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，2.5mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，2.5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，2.5mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，2.5mA   频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Diodes Incorporated 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Diodes Incorporated 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -   功率 - 最大值 150mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 150mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 150mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V