DDTA144WUA-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

DDTA144WUA-7 - 

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • Digi-Key已停止供应这个产品，现只提供有限数量。
Diodes Incorporated DDTA144WUA-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DDTA144WUA-7
仓库库存编号：
DDTA144WUADICT-ND
描述：
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

DDTA144WUA-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-70，SOT-323  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  SOT-323  
  晶体管类型  PNP - 预偏压  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  56 @ 10mA，5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  200mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  500nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 500μA，10mA  
  频率 - 跃迁  250MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  47k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  22k  
关键词         

产品资料
数据列表 DDTA - R1 unequal to R2 Series - UA
标准包装 1
其它名称 DDTA144WUADICT

DDTA144WUA-7ROHS替代

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

DDTA144WUA-7相关搜索

封装/外壳 SC-70，SOT-323  Diodes Incorporated 封装/外壳 SC-70，SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SC-70，SOT-323  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SC-70，SOT-323   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 SOT-323  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SOT-323  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SOT-323   晶体管类型 PNP - 预偏压  Diodes Incorporated 晶体管类型 PNP - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 10mA，5V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 10mA，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 200mW  Diodes Incorporated Power - Max 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 200mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 200mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Diodes Incorporated 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  Diodes Incorporated 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号