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产品规格

封装/外壳	SOT-523
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-523
晶体管类型	NPN - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	56 @ 5mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	150mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 500μA，10mA
频率 - 跃迁	250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	-
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	22k
关键词

产品资料

数据列表	DDTC1x4GE, DDTC115GE
标准包装	3,000
其它名称	DDTC124GE7

封装/外壳 SOT-523  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-523  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SOT-523  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SOT-523   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-523  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-523  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SOT-523  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SOT-523   晶体管类型 NPN - 预偏压  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 5mA，5V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 5mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 5mA，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 5mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 150mW  Diodes Incorporated Power - Max 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 150mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 150mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） -  Diodes Incorporated 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） -   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  Diodes Incorporated 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 22k