DDTC125TCA-7-F,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

DDTC125TCA-7-F - 

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • 不提供增值包装；备有另选包装。
Diodes Incorporated DDTC125TCA-7-F
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DDTC125TCA-7-F
仓库库存编号：
DDTC125TCA-FDICT-ND
描述：
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

DDTC125TCA-7-F产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  SOT-23-3  
  晶体管类型  NPN - 预偏压  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  100 @ 1mA，5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  200mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  500nA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 50μA，500μA  
  频率 - 跃迁  250MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  200k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  -  
关键词         

产品资料
数据列表 DDTC1x3TCA, 1x4TCA, 1x5TCA
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
标准包装 1
其它名称 DDTC125TCA-FDICT

DDTC125TCA-7-F相关搜索

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SOT-23-3   晶体管类型 NPN - 预偏压  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 200mW  Diodes Incorporated Power - Max 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 200mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 200mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 50μA，500μA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 50μA，500μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 50μA，500μA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 50μA，500μA   频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 200k  Diodes Incorporated 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 200k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 200k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 200k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Diodes Incorporated 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号