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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	3-XFDFN
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	3-DFN1006（1.0x0.6）
晶体管类型	NPN - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	180 @ 50mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	250mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	200mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47k
关键词

产品资料

数据列表	DDTC123JLP, 143ZLP, 114YLP
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	DDTC143ZLP7 DDTC143ZLPDICT

封装/外壳 3-XFDFN  Diodes Incorporated 封装/外壳 3-XFDFN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 3-XFDFN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 3-XFDFN   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 3-DFN1006（1.0x0.6）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 3-DFN1006（1.0x0.6）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 3-DFN1006（1.0x0.6）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 3-DFN1006（1.0x0.6）   晶体管类型 NPN - 预偏压  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 50mA，5V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 50mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 50mA，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 50mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 250mW  Diodes Incorporated Power - Max 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 250mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 250mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Diodes Incorporated 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Diodes Incorporated 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k