DI9942T,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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DI9942T
DI9942T -
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DI9942T
仓库库存编号:
DI9942CT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A 1.6W Surface Mount 8-SOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DI9942T产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
8-SOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
-
FET 类型
N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.5A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
1.6W
关键词
产品资料
标准包装
1
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DI9942
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Diodes Incorporated 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -
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系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -
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包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
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零件状态 过期
Diodes Incorporated 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期
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供应商器件封装 8-SOP
Diodes Incorporated 供应商器件封装 8-SOP
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
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FET 类型 N 和 P 沟道
Diodes Incorporated FET 类型 N 和 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
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FET 功能 标准
Diodes Incorporated FET 功能 标准
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
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漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
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功率 - 最大值 1.6W
Diodes Incorporated 功率 - 最大值 1.6W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.6W
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.6W
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