DMC1028UFDB-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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DMC1028UFDB-7 - 

MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

Diodes Incorporated DMC1028UFDB-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMC1028UFDB-7
仓库库存编号：
DMC1028UFDB-7DICT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 6A, 3.4A 1.36W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。

DMC1028UFDB-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-UDFN 裸露焊盘  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  U-DFN2020-6（B 类）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  18.5nC @ 8V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  25 毫欧 @ 5.2A，4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  6A，3.4A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  787pF @ 6V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  12V，20V  
  功率 - 最大值  1.36W  
关键词         

产品资料
数据列表 DMC1028UFDB
标准包装 1
其它名称 DMC1028UFDB-7DICT

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