DMC2038LVTQ-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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DMC2038LVTQ-7
DMC2038LVTQ-7 -
MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26
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制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMC2038LVTQ-7
仓库库存编号:
DMC2038LVTQ-7-ND
描述:
MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TSOT-26
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMC2038LVTQ-7产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101
零件状态
在售
供应商器件封装
TSOT-26
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
5.7nC @ 4.5V,10nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
35 毫欧 @ 4A,4.5V,74 毫欧 @ 3A,4.5V
FET 类型
N 和 P 沟道互补型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.7A(Ta),2.6A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
530pF @ 10V,705pF @ 10V
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
800mW(Ta)
关键词
产品资料
数据列表
DMC2038LVT
标准包装
3,000
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.7A, 2.6A 800mW Surface Mount TSOT-26
型号:
DMC2038LVT-7
仓库库存编号:
DMC2038LVT-7DICT-ND
别名:DMC2038LVT-7DICT
无铅
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 汽车级,AEC-Q101
Diodes Incorporated 系列 汽车级,AEC-Q101
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零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 TSOT-26
Diodes Incorporated 供应商器件封装 TSOT-26
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 TSOT-26
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.7nC @ 4.5V,10nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.7nC @ 4.5V,10nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 4A,4.5V,74 毫欧 @ 3A,4.5V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 4A,4.5V,74 毫欧 @ 3A,4.5V
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FET 类型 N 和 P 沟道互补型
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.7A(Ta),2.6A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 10V,705pF @ 10V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 530pF @ 10V,705pF @ 10V
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FET 功能 标准
Diodes Incorporated FET 功能 标准
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
功率 - 最大值 800mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率 - 最大值 800mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 800mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 800mW(Ta)
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