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产品规格

封装/外壳	SOT-963
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-963
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V
FET 类型	N 和 P 沟道互补型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	450mA（Ta），310mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	350mW（Ta）
关键词

产品资料

数据列表	DMC2990UDJQ
标准包装	10,000

封装/外壳 SOT-963  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-963  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-963  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-963   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101  Diodes Incorporated 系列 汽车级，AEC-Q101  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 汽车级，AEC-Q101   零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-963  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-963  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-963  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-963   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V，0.4nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 990 毫欧 @ 100mA，4.5V，1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V   FET 类型 N 和 P 沟道互补型  Diodes Incorporated FET 类型 N 和 P 沟道互补型  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道互补型  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道互补型   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA（Ta），310mA（Ta）  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA（Ta），310mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA（Ta），310mA（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA（Ta），310mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 27.6pF @ 15V，28.7pF @ 15V   FET 功能 标准  Diodes Incorporated FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 350mW（Ta）  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 350mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 350mW（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 350mW（Ta）