DMC3025LDV-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
>
DMC3025LDV-7
DMC3025LDV-7 -
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
新产品
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMC3025LDV-7
仓库库存编号:
DMC3025LDV-7-ND
描述:
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
详细描述:
Mosfet Array 1 N-Channel, 1 P-Channel 15A (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
DMC3025LDV-7产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerVDFN
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
PowerDI3333-8
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
4.6nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 7A,10V
FET 类型
1 个 N 沟道,1 个 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
500pF @ 15V,1188pF @ 15V
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
关键词
产品资料
数据列表
DMC3025LDV
标准包装
2,000
DMC3025LDV-7相关搜索
封装/外壳 8-PowerVDFN
Diodes Incorporated 封装/外壳 8-PowerVDFN
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerVDFN
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101
Diodes Incorporated 系列 汽车级,AEC-Q101
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101
包装 带卷(TR)
Diodes Incorporated 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 PowerDI3333-8
Diodes Incorporated 供应商器件封装 PowerDI3333-8
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerDI3333-8
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PowerDI3333-8
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V,9.5nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 7A,10V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 7A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 7A,10V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 7A,10V
FET 类型 1 个 N 沟道,1 个 P 沟道
Diodes Incorporated FET 类型 1 个 N 沟道,1 个 P 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 1 个 N 沟道,1 个 P 沟道
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 1 个 N 沟道,1 个 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc)
Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 500pF @ 15V,1188pF @ 15V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 500pF @ 15V,1188pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 500pF @ 15V,1188pF @ 15V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 500pF @ 15V,1188pF @ 15V
FET 功能 标准
Diodes Incorporated FET 功能 标准
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号