DMC3025LSD-13,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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DMC3025LSD-13 - 

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO

Diodes Incorporated DMC3025LSD-13
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMC3025LSD-13
仓库库存编号：
DMC3025LSD-13DICT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.2A 1.2W Surface Mount 8-SO
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMC3025LSD-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  9.8nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  20 毫欧 @ 7.4A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  6.5A，4.2A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  501pF @ 15V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  1.2W  
关键词         

产品资料
数据列表 DMC3025LSD
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
标准包装 1
其它名称 DMC3025LSD-13DICT

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