DMC3730UFL3-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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DMC3730UFL3-7 - 

MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310

Diodes Incorporated DMC3730UFL3-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMC3730UFL3-7
仓库库存编号：
DMC3730UFL3-7DICT-ND
描述：
MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.1A, 700mA 390mW Surface Mount X2-DFN1310-6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMC3730UFL3-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-XFDFN  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  X2-DFN1310-6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  0.9nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  460 毫欧 @ 200mA，4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道互补型  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  1.1A，700mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  65.9pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  950mV @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  390mW  
关键词         

产品资料
数据列表 DMC3730UFL3
标准包装 1
其它名称 DMC3730UFL3-7DICT

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