DMG1016VQ-13,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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DMG1016VQ-13 - 

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

  • 非库存货
Diodes Incorporated DMG1016VQ-13
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
DMG1016VQ-13
仓库库存编号:
DMG1016VQ-13DI-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMG1016VQ-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563,SOT-666  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-563  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  0.74nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  400 毫欧 @ 600mA,4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  870mA,640mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  60.67pF @ 16V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  530mW  
关键词         

产品资料
数据列表 DMG1016VQ
标准包装 10,000
其它名称 DMG1016VQ-13DI

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