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DMG4511SK4-13 - 

MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Diodes Incorporated DMG4511SK4-13
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMG4511SK4-13
仓库库存编号：
DMG4511SK4-13DICT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMG4511SK4-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-252-4L  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  18.7nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  35 毫欧 @ 8A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道，共漏  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  5.3A，5A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  850pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  35V  
  功率 - 最大值  1.54W  
关键词         

产品资料
数据列表 DMG4511SK4
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
标准包装 1
其它名称 DMG4511SK4-13DICT

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