DMG6601LVT-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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DMG6601LVT-7 - 

MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

Diodes Incorporated DMG6601LVT-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMG6601LVT-7
仓库库存编号：
DMG6601LVT-7DICT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMG6601LVT-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TSOT-26  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  12.3nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  55 毫欧 @ 3.4A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.8A，2.5A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  422pF @ 15V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  850mW  
关键词         

产品资料
数据列表 DMG6601LVT
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
标准包装 1
其它名称 DMG6601LVT-7DICT

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