DMHC4035LSDQ-13,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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DMHC4035LSDQ-13 - 

MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8

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Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ-13
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMHC4035LSDQ-13
仓库库存编号：
DMHC4035LSDQ-13-ND
描述：
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
详细描述：
Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 40V 4.5A (Ta), 3.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMHC4035LSDQ-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  5.9nC @ 4.5V，5.4nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  45 毫欧 @ 3.9A，10V，65 毫欧 @ 4.2A，10V  
  FET 类型  2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  4.5A（Ta），3.7A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  574pF @ 20V，587pF @ 20V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  40V  
  功率 - 最大值  1.5W（Ta）  
关键词         

产品资料
数据列表 DMHC4035LSDQ
标准包装 2,500

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