DMHC6070LSD-13,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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DMHC6070LSD-13 - 

MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMHC6070LSD-13
仓库库存编号：
DMHC6070LSD-13DICT-ND
描述：
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMHC6070LSD-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  11.5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  100 毫欧 @ 1A，10V  
  FET 类型  2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3.1A，2.4A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  731pF @ 20V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  60V  
  功率 - 最大值  1.6W  
关键词         

产品资料
数据列表 DMHC6070LSD
标准包装 1
其它名称 DMHC6070LSD-13DICT

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