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产品规格

封装/外壳	4-UFBGA，WLBGA
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	U-WLB1010-4
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	4.5nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	26 毫欧 @ 1A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.8A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	450pF @ 6V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250μA
功率耗散（最大值）	900mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	12V
关键词

产品资料

数据列表	DMN1032UCB4
标准包装	1
其它名称	DMN1032UCB4-7DICT

封装/外壳 4-UFBGA，WLBGA  Diodes Incorporated 封装/外壳 4-UFBGA，WLBGA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 4-UFBGA，WLBGA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 4-UFBGA，WLBGA   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 U-WLB1010-4  Diodes Incorporated 供应商器件封装 U-WLB1010-4  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 U-WLB1010-4  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 U-WLB1010-4   技术 MOSFET（金属氧化物）  Diodes Incorporated 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±8V  Diodes Incorporated Vgs（最大值） ±8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.5nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 1A，4.5V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 1A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 1A，4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 1A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  Diodes Incorporated 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V   FET 类型 N 沟道  Diodes Incorporated FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 450pF @ 6V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 450pF @ 6V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 450pF @ 6V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 450pF @ 6V   FET 功能 -  Diodes Incorporated FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA   功率耗散（最大值） 900mW（Ta）  Diodes Incorporated 功率耗散（最大值） 900mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 900mW（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 900mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 12V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 12V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 12V