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DMN10H170SVTQ-7
DMN10H170SVTQ-7 -
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMN10H170SVTQ-7
仓库库存编号:
DMN10H170SVTQ-7DICT-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 100V 2.6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMN10H170SVTQ-7产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TSOT-26
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
9.7nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
160 毫欧 @ 5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.6A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1167pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.2W(Ta)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
DMN10H170SVTQ
标准包装
1
其它名称
DMN10H170SVTQ-7DICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1480DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1480DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1480DH-T1-GE3CT
无铅
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TSOT-26
Diodes Incorporated 供应商器件封装 TSOT-26
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TSOT-26
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.7nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 160 毫欧 @ 5A,10V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 160 毫欧 @ 5A,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1167pF @ 25V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1167pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1167pF @ 25V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1167pF @ 25V
FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
功率耗散(最大值) 1.2W(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 1.2W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.2W(Ta)
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漏源电压(Vdss) 100V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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