DMN2114SN-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMN2114SN-7
DMN2114SN-7 -
MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMN2114SN-7
仓库库存编号:
DMN2114SNDICT-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 500mW(Ta) SC-59-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMN2114SN-7产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SC-59-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 500mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
180pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
DMN2114SN
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMN2114SNDICT
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制造商 Diodes Incorporated
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
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安装类型 表面贴装
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功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
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漏源电压(Vdss) 20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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