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产品规格

封装/外壳	6-XFDFN 裸露焊盘
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	X2-DFN1310-6
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	1.6nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	195 毫欧 @ 300mA，4.5V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.11A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	64.3pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	950mV @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	530mW
关键词

产品资料

数据列表	DMN2300UFL4
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	DMN2300UFL4-7DICT

封装/外壳 6-XFDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 封装/外壳 6-XFDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-XFDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-XFDFN 裸露焊盘   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 X2-DFN1310-6  Diodes Incorporated 供应商器件封装 X2-DFN1310-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 X2-DFN1310-6  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 X2-DFN1310-6   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.6nC @ 4.5V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.6nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.6nC @ 4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.6nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 300mA，4.5V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 300mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 300mA，4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 195 毫欧 @ 300mA，4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Diodes Incorporated FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.11A  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.11A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.11A  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.11A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 64.3pF @ 25V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 64.3pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 64.3pF @ 25V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 64.3pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Diodes Incorporated FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 530mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 530mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 530mW  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 530mW