DMN2990UDJQ-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

DMN2990UDJQ-7 - 

MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963

  • 新产品 
  • 非库存货
Diodes Incorporated DMN2990UDJQ-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMN2990UDJQ-7
仓库库存编号：
DMN2990UDJQ-7-ND
描述：
MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel 450mA (Ta) Surface Mount SOT-963
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

DMN2990UDJQ-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-963  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-963  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  0.5nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  990 毫欧 @ 100mA，4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  450mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  27.6pF @ 16V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
关键词         

产品资料
数据列表 DMN2990UDJQ
标准包装 10,000

DMN2990UDJQ-7相关搜索

封装/外壳 SOT-963  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-963  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-963  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-963   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-963  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-963  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-963  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-963   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.5nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 990 毫欧 @ 100mA，4.5V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 990 毫欧 @ 100mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 990 毫欧 @ 100mA，4.5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 990 毫欧 @ 100mA，4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道  Diodes Incorporated FET 类型 2 个 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA（Ta）  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 450mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 27.6pF @ 16V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 27.6pF @ 16V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 27.6pF @ 16V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 27.6pF @ 16V   FET 功能 标准  Diodes Incorporated FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号