DMN3016LDN-13,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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DMN3016LDN-13 - 

MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3030-

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Diodes Incorporated DMN3016LDN-13
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMN3016LDN-13
仓库库存编号：
DMN3016LDN-13-ND
描述：
MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3030-
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel 9.2A (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMN3016LDN-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  V-DFN3030-8（J 类）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  11.3nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  20 毫欧 @ 11A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  9.2A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1415pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 250μA  
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产品资料
数据列表 DMN3016LDN
标准包装 10,000

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