DMN3016LDN-13,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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DMN3016LDN-13 - 

MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3030-

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Diodes Incorporated DMN3016LDN-13
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
DMN3016LDN-13
仓库库存编号:
DMN3016LDN-13-ND
描述:
MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3030-
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel 9.2A (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMN3016LDN-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  V-DFN3030-8(J 类)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  11.3nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  20 毫欧 @ 11A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  9.2A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1415pF @ 15V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 250μA  
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产品资料
数据列表 DMN3016LDN
标准包装 10,000

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