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产品规格

封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	U-DFN2020-6（B 类）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	10.6nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	30 毫欧 @ 5.8A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6.2A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	500pF @ 15V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	1W
关键词

产品资料

数据列表	DMN3032LFDBQ
标准包装	1
其它名称	DMN3032LFDBQ-7DICT

封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 U-DFN2020-6（B 类）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 U-DFN2020-6（B 类）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 U-DFN2020-6（B 类）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 U-DFN2020-6（B 类）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.6nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 5.8A，10V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 5.8A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 5.8A，10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 5.8A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Diodes Incorporated FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 500pF @ 15V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 500pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 500pF @ 15V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 500pF @ 15V   FET 功能 标准  Diodes Incorporated FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 1W  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 1W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W