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DMN3042LFDF-13 - 

MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-

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Diodes Incorporated DMN3042LFDF-13
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMN3042LFDF-13
仓库库存编号：
DMN3042LFDF-13-ND
描述：
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
详细描述：
表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.1W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMN3042LFDF-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-UDFN 裸露焊盘  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  U-DFN2020-6（F 类）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  13.3nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  28 毫欧 @ 4A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  2.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  7A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  570pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  2.1W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 DMN3042LFDF
标准包装 10,000

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