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DMN3055LFDB-13
DMN3055LFDB-13 -
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
新产品
非库存货
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制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMN3055LFDB-13
仓库库存编号:
DMN3055LFDB-13-ND
描述:
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel 5A (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
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DMN3055LFDB-13产品属性
产品规格
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
U-DFN2020-6(B 类)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
5.3nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
40 毫欧 @ 3A,4.5V
FET 类型
2 个 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
458pF @ 15V
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
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DMN3055LFDB
标准包装
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封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -
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包装 带卷(TR)
Diodes Incorporated 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
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供应商器件封装 U-DFN2020-6(B 类)
Diodes Incorporated 供应商器件封装 U-DFN2020-6(B 类)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 U-DFN2020-6(B 类)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 U-DFN2020-6(B 类)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.3nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.3nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 40 毫欧 @ 3A,4.5V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 40 毫欧 @ 3A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 40 毫欧 @ 3A,4.5V
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FET 类型 2 个 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 458pF @ 15V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 458pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 458pF @ 15V
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FET 功能 标准
Diodes Incorporated FET 功能 标准
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
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