DMN3150LW-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
DMN3150LW-7
DMN3150LW-7 -
MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMN3150LW-7
仓库库存编号:
DMN3150LWDICT-ND
描述:
MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 350mW(Ta) SOT-323
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
DMN3150LW-7产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-323
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
88 毫欧 @ 1.6A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.6A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
305pF @ 5V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
28V
关键词
产品资料
数据列表
DMN3150LW
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMN3150LWDICT
DMN3150LW-7您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Silicon Labs
IC CTRLR BRIDGE USB-UART 28QFN
详细描述:USB 桥,USB 至 UART USB 2.0 UART 接口 28-QFN(5x5)
型号:
CP2103-GM
仓库库存编号:
336-1164-ND
别名:336-1164
CP2103GM
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Opto Division
PHOTOTRANSISTOR 3.0MM WIDE VIEW
详细描述:Phototransistor 925nm Top View Radial, 3mm Dia (T-1)
型号:
TEFT4300
仓库库存编号:
751-1041-ND
别名:751-1041
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 350mW(Ta) SOT-323
型号:
DMP2160UW-7
仓库库存编号:
DMP2160UWDICT-ND
别名:DMP2160UWDICT
无铅
搜索
OSRAM Opto Semiconductors Inc.
EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL
详细描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.5V 100mA 550mW/sr @ 100mA 10° Radial
型号:
SFH 4545
仓库库存编号:
475-2919-ND
别名:475-2919
Q65110A8095
SFH 4545-ND
SFH4545
无铅
搜索
Texas Instruments
IC REG LINEAR 3.3V 150MA SOT23-5
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed Output 3.3V 150mA SOT-23-5
型号:
TPS70933DBVR
仓库库存编号:
296-35483-1-ND
别名:296-35483-1
无铅
搜索
DMN3150LW-7相关搜索
封装/外壳 SC-70,SOT-323
Diodes Incorporated 封装/外壳 SC-70,SOT-323
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-323
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-323
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-323
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-323
技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±12V
Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 88 毫欧 @ 1.6A,4.5V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 88 毫欧 @ 1.6A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 88 毫欧 @ 1.6A,4.5V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 88 毫欧 @ 1.6A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
Diodes Incorporated 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
FET 类型 N 沟道
Diodes Incorporated FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 305pF @ 5V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 305pF @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 305pF @ 5V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 305pF @ 5V
FET 功能 -
Diodes Incorporated FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 28V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 28V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 28V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 28V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号