DMN3730UFB-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMN3730UFB-7
DMN3730UFB-7 -
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMN3730UFB-7
仓库库存编号:
DMN3730UFB-7CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 750mA(Ta) 470mW(Ta) 3-DFN
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMN3730UFB-7产品属性
产品规格
封装/外壳
3-UFDFN
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
3-DFN
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1.6nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
460 毫欧 @ 200mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
750mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
64.3pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
470mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
DMN3730UFB
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
PCN 设计/规格
DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015
标准包装
1
其它名称
DMN3730UFB-7CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:NTK3139PT1GOSCT
无铅
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型号:
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别名:1253-1777-1
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制造商 Diodes Incorporated
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 750mA(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 64.3pF @ 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 64.3pF @ 25V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
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功率耗散(最大值) 470mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 470mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 470mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 470mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 30V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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