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DMN4800LSS-13
DMN4800LSS-13 -
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMN4800LSS-13
仓库库存编号:
DMN4800LSSDICT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.46W(Ta) 8-SOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMN4800LSS-13产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SOP
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
9.47nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
16 毫欧 @ 9A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
798pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.46W(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
DMN4800LSS
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
PCN 其它
Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装
1
其它名称
DMN4800LSSDICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:DMG4800LFG-7DICT
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 8-SOP
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 9A,10V
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功率耗散(最大值) 1.46W(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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